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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜,藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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目前市面上已被廣泛使用的記憶體,如:動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random Access Memory)及快閃記憶體(flash memory)等,在元件的尺寸大小及密度都已達…